| 发明名称 | 多孔质二氧化硅前体组合物及其制备方法、多孔质二氧化硅膜及其形成方法、半导体元件、图像显示装置及液晶显示装置 | ||
| 摘要 | 一种多孔质二氧化硅前体组合物，由下述成分混合进行制备：化学式1：R1m(R2-O)4-mSi(式中，R1和R2为烷基，可以相同或不相同，m表示0～3中的任意整数)表示的有机硅烷、水、醇以及化学式2：R3N(R4)3X(式中，R3和R4为烷基，可以相同或不相同，X表示卤素原子)表示的季铵化合物。涂布、烧制多孔质二氧化硅前体组合物而形成多孔质二氧化硅膜。具有多孔质二氧化硅膜的半导体元件、图像显示元件、液晶显示元件。 | ||
| 申请公布号 | CN101765561A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
| 申请号 | CN200880100611.6 | 申请日期 | 2008.08.05 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 中山高博;野末龙弘;村上裕彦 |
| 分类号 | C01B33/12(2006.01)I;C09D1/00(2006.01)I;G02F1/1337(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人 | 齐永红 |
| 主权项 | 多孔质二氧化硅前体组合物，其特征在于含有：化学式1：R1m(R2-O)4-mSi表示的有机硅烷，式中R1和R2为烷基，可以相同或不相同，m为0～3中的任意整数；水；醇；以及化学式2：R3N(R4)3X表示的季铵化合物，式中R3和R4为烷基，可以相同或不相同，X为卤素原子。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||