1.5T SONOS快速闪存存储器单元结构

摘要

本发明公开了一种1.5T SONOS快速闪存存储器单元结构，该存储器单元由一个SONOS晶体管和一个闪存单元选择场管构成，其中SONOS晶体管和闪存单元选择场管共用一个门栅极，该门栅极为存储单元的字线端，位于该门栅极左边的N型源漏注入区域为存储单元的位线端，位于该门栅极右边的N型源漏注入区域为源线端，SONOS晶体管为ONO介质层栅氧结构，闪存单元选择场管为氧化物介质层栅氧结构。本发明简化了存储器单元结构并减小了存储器单元面积，能大幅的节约芯片的面积，节省制造成本。

主权项

一种1.5T SONOS快速闪存存储器单元结构，其特征在于，该存储器单元由一个SONOS晶体管和一个闪存单元选择场管构成，其中SONOS晶体管和闪存单元选择场管共用一个门栅极，该门栅极为存储单元的字线端，位于该门栅极左边的N型源漏注入区域为存储单元的位线端，位于该门栅极右边的N型源漏注入区域为源线端，SONOS晶体管为ONO介质层栅氧结构，闪存单元选择场管为氧化物介质层栅氧结构。