发明名称 一种基于参考光栅二次曝光的大面积全息光栅制备方法
摘要 本发明公开了一种基于参考光栅二次曝光的大面积全息光栅制备方法,在主全息干板上制备衍射光栅,包括下列步骤:(1)固定参考全息干板;(2)遮挡主全息干板,用全息光栅记录光场制备参考光栅;(3)使参考光栅与记录光场形成较疏的莫尔条纹,莫尔条纹的方向与参考光栅的线条方向垂直,记录该莫尔条纹信息;(4)对主全息干板的第一部分曝光、显影;(5)同步移动主全息干板和参考全息干板,调节参考光栅和记录光场的相对位置,使再现的莫尔条纹信息与步骤(3)中一致;(6)对主全息干板的第二部分曝光、显影,完成全息曝光拼接光栅的制作。本发明实现了衍射光栅制备过程中相邻区域的拼接,保证了光栅条纹的平行精度和相位关系,可用于制备大面积的衍射光栅。
申请公布号 CN101382611B 申请公布日期 2010.06.30
申请号 CN200810155639.1 申请日期 2008.10.10
申请人 苏州大学 发明人 李朝明;吴建宏;陈新荣
分类号 G02B5/18(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03H1/04(2006.01)I;G02B27/60(2006.01)I 主分类号 G02B5/18(2006.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 陶海锋
主权项 一种基于参考光栅二次曝光的大面积全息光栅制备方法,在涂有感光材料的主全息干板上制备衍射光栅,其特征在于,制备过程包括下列步骤:(1)将一涂有感光材料的参考全息干板固定在主全息干板待拼接的两个部分之间;(2)遮挡主全息干板的右半部和参考全息干板的右半部,将主全息干板的左半部和参考全息干板的左半部放置到全息光栅记录光场中,系统稳定后进行曝光;(3)将主全息干板的右半部和参考全息干板的右半部放置于记录光场中,遮挡主全息干板的右半部,使参考全息干板的右半部曝光;(4)显影后的参考全息干板放置于原位,在透射光场中观察到参考光栅与记录光场间形成的莫尔条纹,分别记录对应于参考全息干板左半部和右半部的莫尔条纹信息,经处理得出两次曝光的相位差;(5)改变记录光场的条纹相位分布及干涉条纹的疏密,使参考全息干板右半部形成的莫尔条纹信息与调整前参考全息干板左半部形成的莫尔条纹信息一致;(6)取消主全息干板右半部的遮挡,对主全息干板的右半部曝光,经显影,完成全息曝光拼接光栅的制作。
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