发明名称 |
一种单模纤芯耦合多层掺稀土环形纤芯的光纤 |
摘要 |
一种单模纤芯耦合多层掺稀土环形纤芯的光纤,属于大功率光纤放大器、激光器、特种光纤。该光纤中心为掺稀土离子芯区(1),由内到外分布第一硅环芯(21)、第一掺稀土离子环芯(41)、...第N+1硅环芯(2,N+1),外包层(3),2≤N≤50;掺稀土离子芯区、第一掺稀土离子环芯、...第N掺稀土离子环芯(4N)的折射率相等,第一硅环芯、...第N+1硅环芯的折射率相等,第一硅环芯(21)、...第N+1硅环芯的折射率低于掺稀土离子芯区、第一掺稀土离子环芯、...第N掺稀土离子环芯的折射率;外包层的折射率低于第一硅环芯、...第N+1硅环芯(2,N+1)的折射率,降低了光纤的制作难度,实现光纤大的有效模场面积。 |
申请公布号 |
CN101764343A |
申请公布日期 |
2010.06.30 |
申请号 |
CN201010033744.5 |
申请日期 |
2010.01.08 |
申请人 |
北京交通大学 |
发明人 |
胡旭东;宁提纲;裴丽;周倩;张帆;王春灿;郑晶晶;谭中伟;刘艳 |
分类号 |
H01S3/067(2006.01)I |
主分类号 |
H01S3/067(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
单模纤芯耦合多层掺稀土环形纤芯的光纤,其特征为:该光纤中心为掺稀土离子芯区(1),掺稀土离子芯区(1)外由内到外分布第一硅环芯(21)、第一掺稀土离子环芯(41)、...第N硅环芯(2N)、第N掺稀土离子环芯(4N),第N+1硅环芯(2,N+1),外包层(3),2≤N≤50;掺稀土离子芯区(1)、第一掺稀土离子环芯(41)、...第N掺稀土离子环芯(4N)的折射率相等,第一硅环芯(21)、...第N硅环芯(2N)、第N+1硅环芯(2,N+1)的折射率相等,第一硅环芯(21)、...第N硅环芯(2N)、第N+1硅环芯(2,N+1)的折射率低于掺稀土离子芯区(1)、第一掺稀土离子环芯(41)、...第N掺稀土离子环芯(4N)的折射率;外包层(3)的折射率低于第一硅环芯(21)、...第N硅环芯(2N)、第N+1硅环芯(2,N+1)的折射率。 |
地址 |
100044 北京市海淀区西直门外上园村3号 |