一种半导体分立器件的引线框架

摘要

本实用新型涉及一种半导体分立器件的引线框架，用于驻极体传声器的半导体分立器件组装，通过冲压或刻蚀方法图形化处理而形成。所述引线框架包含上引导排和下引导排并由中筋支撑联接；所述上引导排联接第一引出极以及载片台，下引导排联接第二引出极和第三引出极；第二引出极和第三引出极与第一引出极反方向引出，载片台在第二引出极和第三引出极的上部；所述引线框架的厚度是0.15-0.37mm。利用这种引线框架所生产的场效应器件具有双向引出极，适用于驻极体传声器以替代TO-92SP和SOT-23引线框架封装的场效应器件。

主权项

一种半导体分立器件的引线框架，用于驻极体传声器的半导体分立器件组装，通过冲压或刻蚀方法图形化处理而形成，其特征在于：所述引线框架包含上引导排(1)和下引导排(7)并由中筋(8)支撑联接；所述上引导排(1)联接第一引出极(2)以及载片台(3)，下引导排(7)联接第二引出极(4)和第三引出极(5)；第二引出极(4)和第三引出极(5)与第一引出极(2)反方向引出，载片台(3)在第二引出极(4)和第三引出极(5)的上部；所述引线框架的厚度是0.15-0.37mm。