一种互补动态存储器的结构

摘要

本发明为一种互补动态存储器结构，其与通用逻辑工艺兼容，其包括：PMOS源/漏注入区、栅极多晶硅区、有源区、第一层金属线区、接触孔区、存储器单元的第一位线连接区、第二位线连接区、存储器单元的第一字线连接区、第二字线连接区、负压连接区、阻止形成硅化物层的自对准硅化物阻止区以及第一至第四存储单元，其中，所述的有源区通过所述的接触孔区与所述的第一层金属线区连接，所述的第一层金属线区与存储单元的外部连线相连，所述的第一存储单元和第二存储单元对称，第三存储单元和第四存储单元对称，第一存储单元和第三存储单元对称，第二存储单元和第四存储单元对称。

主权项

一种互补动态存储器结构，其与通用逻辑工艺兼容，其特征在于，其包括：PMOS源/漏注入区(SP)、栅极多晶硅区(GT)、有源区(AA)、第一层金属线区(M1)、接触孔区(CT)、存储器单元的第一位线连接区(BL)、第二位线连接区(BL_B)、存储器单元的第一字线连接区(WL<0>)、第二字线连接区(WL<1>)、负压连接区(Vplate)、阻止形成硅化物层的自对准硅化物阻止区(SAB)以及第一至第四存储单元(Cell<0>、Cell_b<0>、Cell<1>、Cell_b<1>)，其中，所述的有源区(AA)通过所述的接触孔区(CT)与所述的第一层金属线区(M1)连接，所述的第一层金属线区(M1)与存储单元的外部连线相连，所述的第一存储单元(Cell<0>)和第二存储单元(Cell_b<0>)对称，第三存储单元(Cell<1>)和第四存储单元(Cell_b<1>)对称，第一存储单元(Cell<0>)和第三存储单元(Cell<1>)对称，第二存储单元(Cell_b<0>)和第四存储单元(Cell_b<1>)对称；所述第一存储单元(Cell<0>)包括第一PMOS晶体管(P1)和用做电容的第二PMOS晶体管(C1)，所述第二存储单元(Cell_b<0>)包括第三PMOS晶体管(P2)和用做电容的第四PMOS晶体管(C2)，所述第三存储单元(Cell<1>)包括第五PMOS晶体管(P3)和用做电容的第六PMOS晶体管(C3)，所述第四存储单元(Cell_b<1>)包括第七PMOS晶体管(P4)和用做电容的第八PMOS晶体管(C4)，通过以上区域层，在P型衬底的N阱中形成第一至第八PMOS晶体管。