| 发明名称 | 磁电阻存储单元、存储器件及操作该存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 磁电阻存储单元包括MTJ器件和选择晶体管。选择晶体管包括：第一导电类型半导体层；通过在半导体层之上设置栅极绝缘层而形成的栅极电极；以及形成于半导体层内、彼此间隔开并且具有第二导电类型的第一和第二扩散区域。半导体层在第一和第二扩散区域之间的部分被形成为电浮体区域。通过使用带有浮体效应的高性能选择晶体管，可以实现磁电阻存储器件的高集成度。 | ||
| 申请公布号 | CN101764143A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
| 申请号 | CN200910165356.X | 申请日期 | 2009.08.07 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑星雄 |
| 分类号 | H01L27/22(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 一种磁电阻存储单元，包括：磁隧道结(MTJ)器件；以及选择晶体管，其中所述选择晶体管包括：第一导电类型半导体层；通过在所述半导体层之上设置栅极绝缘层而形成的栅极电极；以及形成于所述半导体层内、彼此间隔开并具有第二导电类型的第一和第二扩散区域，其中所述半导体层在所述第一和第二扩散区域之间的部分被形成为电浮体区域。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||