发明名称 | 键合两个衬底的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种键合两个衬底的方法,该方法包括对这两个衬底中的至少一个进行活化处理的步骤,以及在低真空的情况下使这两个衬底彼此接触的步骤。由于组合了这两个步骤,所以能够实施键合并获得高键合能,同时减少了键合空隙的数量。本发明特别适用于具有处理过的或至少部分处理过的器件的衬底。 | ||
申请公布号 | CN101764052A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
申请号 | CN200910205744.6 | 申请日期 | 2009.10.09 |
申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 阿诺德·卡斯泰 |
分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L31/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉 |
主权项 | 一种键合两个衬底的方法,所述方法包括下列步骤:a)对这两个衬底中的至少一个进行活化处理;b)在低真空的情况下使这两个衬底彼此接触。 | ||
地址 | 法国克莱斯 |