发明名称 键合两个衬底的方法
摘要 本发明涉及一种键合两个衬底的方法,该方法包括对这两个衬底中的至少一个进行活化处理的步骤,以及在低真空的情况下使这两个衬底彼此接触的步骤。由于组合了这两个步骤,所以能够实施键合并获得高键合能,同时减少了键合空隙的数量。本发明特别适用于具有处理过的或至少部分处理过的器件的衬底。
申请公布号 CN101764052A 申请公布日期 2010.06.30
申请号 CN200910205744.6 申请日期 2009.10.09
申请人 硅绝缘体技术有限公司 发明人 阿诺德·卡斯泰
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L31/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉
主权项 一种键合两个衬底的方法,所述方法包括下列步骤:a)对这两个衬底中的至少一个进行活化处理;b)在低真空的情况下使这两个衬底彼此接触。
地址 法国克莱斯