半导体器件以及半导体器件制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件以及半导体器件制造方法。通过以交替方式进行以彼此不同的生长速率生长III族氮化物的第一和第二生长步骤的多个循环，在生长基板上形成具有多个空腔的空腔包含层。随后在空腔包含层上形成半导体外延层，之后将支承基板接合到半导体外延层。将生长基板从空腔包含层分离。

主权项

一种半导体器件制造方法，该制造方法包括以下步骤：在生长基板上形成由III族氮化物系化合物半导体构成并且散布有空腔和柱状结构的空腔包含层；在所述空腔包含层上形成III族氮化物系化合物半导体外延层；在所述III族氮化物系化合物半导体外延层上接合支承基板；以及以所述空腔包含层和所述生长基板之间的界面用作分离边界，从所述空腔包含层将所述生长基板与所述III族氮化物系化合物半导体外延层分离。