| 发明名称 | 利用沟道热电子实现SONOS存储单元写操作的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种利用沟道热电子实现SONOS存储单元写操作的方法，通过使存储器晶体管工作在饱和靠近击穿端，产生足够的沟道电流和横向电场，从而在沟道靠近漏区由于横向电场作用，产生足够多的热电子注入到栅绝缘层中的氮化硅中，实现存储单元电荷的存储。该方法能提高改变SONOS存储单元的写状态，提高存储器写的速度。 | ||
| 申请公布号 | CN101763896A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
| 申请号 | CN200810044172.3 | 申请日期 | 2008.12.24 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈广龙 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/30(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 一种利用沟道热电子实现SONOS存储单元写操作的方法，其特征在于，在SONOS工艺中采用沟道热电子注入，通过使存储器晶体管工作在饱和靠近击穿端，产生足够的沟道电流和横向电场，从而在沟道靠近漏区由于横向电场作用，产生足够多的热电子注入到栅绝缘层中的氮化硅中，实现存储单元电荷的存储。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||