| 发明名称 | 高分子PTC芯片及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于过流防护的电子元器件，公开了一种高分子PTC芯片及其应用。本发明的高分子PTC芯片，由两片金属箔电极以及夹在所述两片金属箔电极之间的高分子PTC复合导电材料层复合构成，所述高分子PTC复合导电材料由包括下列组分及体积百分配比的原料复合而成：有机高分子聚合物24.5％-40％；导电陶瓷粒子55％-75％；炭黑0.5％-10％。本发明的高分子PTC芯片电阻低、电性能稳定，且机械性能好，易加工，综合性能优良。 | ||
| 申请公布号 | CN101763925A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
| 申请号 | CN200910200959.9 | 申请日期 | 2009.12.25 |
| 申请人 | 上海神沃电子有限公司 | 发明人 | 周欣山;傅坚;宋华;李凯 |
| 分类号 | H01C7/02(2006.01)I;H01C7/13(2006.01)I | 主分类号 | H01C7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 许亦琳;余明伟 |
| 主权项 | 一种高分子PTC芯片，由两片金属箔电极以及夹在所述两片金属箔电极之间的高分子PTC复合导电材料层复合构成，所述高分子PTC复合导电材料由包括下列组分及体积百分配比的原料复合而成：有机高分子聚合物 24.5％-40％；导电陶瓷粒子 55％-75％炭黑 0.5％-10％。 | ||
| 地址 | 201108 上海市闵行区金都路1165弄123号 | ||