发明名称 |
真空微电子压力传感器 |
摘要 |
一种真空微电子压力传感器,包括:硅微场致发射阴极锥尖阵列、真空微腔、绝缘层、阳极弹性膜、阳极绝缘保护膜、引出电极、过载保护环、金刚石膜和绝缘衬底,其特征在于,在所述阳极弹性膜朝向真空微腔一面的中部,有连成一体的阳极活塞膜及其支撑柱,且支撑柱与过载保护环相对。本发明根据功能拆分的思想,采用了具有双层膜结构的压力传感器,与常规的真空微电子压力传感器相比,本发明的真空微电子压力传感器的灵敏度较之常规的真空微电子压力传感器提高100~300%。并且,由于本发明结构的支撑柱与过载保护环的相互对应,防止了阳极活塞膜与过载保护环碰触而造成的永久形变,因而十分有利于传感器的长期稳定工作。 |
申请公布号 |
CN101762356A |
申请公布日期 |
2010.06.30 |
申请号 |
CN201010042063.5 |
申请日期 |
2010.01.15 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第二十四研究所;重庆大学 |
发明人 |
徐世六;温志渝;毛立龙 |
分类号 |
G01L21/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I;B81C99/00(2010.01)I |
主分类号 |
G01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种真空微电子压力传感器,包括:硅微场致发射阴极锥尖阵列(9)、真空微腔(7)、绝缘层(6)、阳极弹性膜(3)、阳极绝缘保护膜(2)、引出电极(1)、过载保护环(11)、金刚石膜(8)和绝缘衬底(10),其特征在于,在所述阳极弹性膜(3)朝向真空微腔(7)一面的中部,有连成一体的阳极活塞膜(5)及其支撑柱(4),且支撑柱(4)与过载保护环(11)相对。 |
地址 |
400060 重庆市南岸区南坪花园路14号 |