| 发明名称 | 半导体性碳纳米管薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种半导体性碳纳米管薄膜的制备方法，属于纳米材料制备领域，其特征在于：在分散的单壁碳纳米管溶液中，加入与半导体性碳纳米管选择性吸附的介质，并在介质表面形成半导体性碳纳米管富集层，最后以酸化消除介质的方式分离、提纯单壁碳纳米管溶液中的半导体性碳纳米管薄膜。利用本发明方法制备纯的半导体性碳纳米管薄膜，无需任何特殊装置和繁杂工序，制备过程简便、实用，而且低成本，有利于实现大面积碳纳米管薄膜的制备，促进半导体性碳纳米管薄膜在诸多领域的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN101759177A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
| 申请号 | CN201010017136.5 | 申请日期 | 2010.01.08 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 李红波;金赫华;陈艳芳;李清文 |
| 分类号 | C01B31/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人 | 陈忠辉 |
| 主权项 | 半导体性碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于：在分散的碳纳米管溶液中，加入与半导体性碳纳米管选择性吸附的介质，并在介质表面形成半导体性碳纳米管富集层，最后分离、提纯碳纳米管溶液中的半导体性碳纳米管薄膜。 | ||
| 地址 | 215125 江苏省苏州市工业园区若水路398号 | ||