一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法，该方法为：由下至上依次生长硅衬底层，埋层氧化层，单晶硅顶层；采用STI工艺在单晶硅顶层位置处形成的有源区进行氧化物隔离；有源区包括NMOS区和PMOS区；在NMOS区和PMOS区中间刻蚀一个窗口，利用热氧化的方法在窗口内侧壁形成NMOS和PMOS栅氧化层；在窗口处淀积多晶硅，填满，掺杂，然后通过化学机械抛光形成垂直栅区；在NMOS和PMOS沟道采用多次离子注入的方式掺杂再快速退火，源漏区则采用离子注入方式重掺杂。本发明工艺简单，制作出的器件占用面积小版图层数少，能够完全避免浮体效应，方便对寄生电阻电容的测试。

主权项

一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，由下至上依次生长硅衬底层，埋层氧化层，单晶硅顶层构成SOI衬底；步骤二，在SOI衬底上的单晶硅顶层位置处形成的有源区进行氧化物隔离；所述有源区包括NMOS区和PMOS区；步骤三，在NMOS区和PMOS区中间刻蚀一个窗口，利用热氧化的方法在窗口内侧壁形成NMOS栅氧化层和PMOS栅氧化层；NMOS区包括NMOS源区、NMOS漏区、NMOS沟道；PMOS区包括PMOS源区、PMOS漏区、PMOS沟道；步骤四，在窗口处淀积多晶硅，填满，掺杂，然后抛光形成垂直栅区；步骤五，在NMOS沟道和PMOS沟道采用多次离子注入的方式掺杂，掺杂完毕后再进行快速退火处理；步骤六，在NMOS源区、NMOS漏区、PMOS源区、和PMOS漏区采用离子注入的方式重掺杂，掺杂完毕后再进行快速退火处理；步骤七，分别对NMOS源区、NMOS漏区、NMOS沟道淀积金属引出NMOS源极、NMOS漏极、NMOS体电极；分别对PMOS源区、PMOS漏区、PMOS沟道淀积金属引出PMOS源极、PMOS漏极、PMOS体电极；对垂直栅区淀积金属引出栅极。