聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法

摘要

本发明涉及一种聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法，它包括在锗单晶片衬底上制作多结砷化镓外延片、在外延片上涂布一层黑胶保护层，衬底采用腐蚀工艺减薄厚度、在衬底镀一层钯/银/金作为下电极、在外延片上采用负胶光刻工艺光刻出电极图形，并在电极图形上镀金锗镍/银/金作为上电极、在上电极上再蒸镀一层减反射膜以及去胶金属化后划成需要的尺寸等步骤。本发明聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法采用刻槽和腐蚀台面工艺，降低了电池的漏电流损失，提高了填充因子和开路电压，因此效率也显著提高，产品合格率也显著增加。

主权项

一种聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：A、以锗单晶片为衬底，利用金属有机化合物气相沉积外延生长技术，在衬底的一个面上生长太阳电池外延片；B、以外延片表面为正面，另一面为背面，在正面涂布一层黑胶保护层，背面采用腐蚀工艺减薄衬底的厚度；C、在背面镀一层钯/银/金作为下电极；D、在正面采用负胶光刻工艺光刻出电极图形，在电极图形上镀金锗镍/银/金作为上电极；E、正面经选择性腐蚀后，再蒸镀一层减反射膜；F、去胶金属化后划成需要的尺寸，即完成单体电池的制作。