| 发明名称 | 用于保护半导体器件免于静电放电的器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于保护半导体器件免于静电放电的器件及其制造方法。该保护半导体器件免于静电放电的器件包括：高电压第一导电型阱，形成在半导体衬底中；第一堆叠区，具有顺序堆叠在高压第一导电型阱的一个区域中的第一导电型漂移区和第一导电型杂质区；第二堆叠区，具有顺序堆叠在高压第一导电型阱的另一区域中的第二导电型漂移区和第二导电型杂质区；以及器件隔离膜，形成在第一堆叠区和第二堆叠区之间，用来隔离第一堆叠区和第二堆叠区。 | ||
| 申请公布号 | CN101764161A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
| 申请号 | CN200910260395.8 | 申请日期 | 2009.12.17 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 张骏泰 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人 | 宋子良;李占平 |
| 主权项 | 一种用于保护半导体器件免于静电放电的器件，包括：高压第一导电型阱，形成在半导体衬底中；第一堆叠区，具有顺序堆叠在所述高压第一导电型阱的一个区域中的第一导电型漂移区和第一导电型杂质区；第二堆叠区，具有顺序堆叠在所述高压第一导电型阱的另一区域中的第二导电型漂移区和第二导电型杂质区；以及器件隔离膜，形成在所述第一堆叠区和所述第二堆叠区之间，用于隔离所述第一堆叠区和所述第二堆叠区。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||