发明名称 |
图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
一种图像传感器及其制造方法,该图像传感器包括:沟槽,形成在半导体衬底中;第一反射部,形成在该沟槽中并具有倾斜曲面;第二反射部,形成在第一反射部上,使得沟槽的剩余空间由该第二反射部填充;以及垂直型光电二极管,形成在衬底的介于沟槽之间的区域上。所述制造图像传感器的方法包括以下步骤:在半导体衬底中形成沟槽;在沟槽中形成具有倾斜曲面的第一反射部;在第一反射部上形成第二反射部;使得沟槽的剩余空间由第二反射部填充;以及在衬底的介于沟槽之间的区域上形成垂直型光电二极管。本发明能够扩大光电二极管的光接收面积,使得光电二极管的光转换效率得以最大化。 |
申请公布号 |
CN101764093A |
申请公布日期 |
2010.06.30 |
申请号 |
CN200910225020.8 |
申请日期 |
2009.11.24 |
申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
朴正秀 |
分类号 |
H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8234(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
姜燕;邢雪红 |
主权项 |
一种方法,包括以下步骤:在半导体衬底中形成沟槽;在所述沟槽中形成具有倾斜曲面的第一反射部;在所述第一反射部上方形成第二反射部,使得所述沟槽的剩余空间由所述第二反射部填充;以及在所述衬底的邻近沟槽的区域上形成垂直型光电二极管。 |
地址 |
韩国首尔 |