在片自测试自修复方法

摘要

本发明属于集成电路设计领域，具体为一种能够在加电工作的情况下不依赖于外部设备进行芯片的自测试，并能根据测试结果进行自修复的方法。该方法中的自测试，可以应用于芯片内的所有结构和部分；该方法中的自修复，可以应用于芯片内的所有具有备份单元的结构和部分。基于该方法的自测试自修复过程分为两个阶段：第一阶段为测试、修复阶段，首先进行自测试，根据测试结果使用备份单元来替换失效单元；第二阶段为重测阶段，若未检测出错误，则完成在片自测试自修复，否则产生不可修复信号，供外部检测。本发明以较低代价实现在片自测试自修复，使用备份单元替换出错部分，提高了芯片的良率和可靠性，也有效地减少了测试时间、降低测试成本。

主权项

一种在片自测试自修复方法，其特征在于能够在加电工作的情况下不依赖于外部设备进行芯片的自测试，并能根据测试结果进行自修复；芯片在加电工作并进入自测试自修复模式后即可采用所述方法进行不依赖于外部设备的自测试自修复，进入自测试自修复模式的途径可以是由外部引脚触发，也可以使用已有信号触发，所述已有信号包括但不限于复位信号(reset)；所述在片自测试自修复方法包括两个阶段：第一阶段，自测试单元测试被测单元并把测试结果传递给自修复单元，储存在存储器中；所述用于存储测试结果的存储器可以是任意挥发性或不挥发性的存储器，包括但不限于随机存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、忆阻器(MEMSISTOR)；自修复单元根据自测试结果进行操作，对被测单元的出错部分执行自修复，由存储的测试结果控制相应开关，以备份单元或器件取代失效的被测单元；所述相应开关包括但不限于多路选择器、三态门；第二阶段，自测试单元重测被测单元，若未检测出错误，则完成在片自测试自修复，产生测试完成信号，供外部检测，否则产生不可修复信号，供外部检测。