发光元件

摘要

本发明提供一种发光元件，其在抑制放射角产生的发光强度和波长的分散同时，可提高光取出效率。在基板(1)上具有含有发光层(4)的化合物半导体层的发光元件(10)，该发光元件在含有作为所述化合物半导体层的光取出面的主表面的部份上具备介电率变化结构(11)，该介电率变化结构为，对于介电率不同的两种以上的物质以二维点阵状周期性地交互排列在所述主表面内(6a)的光子晶体结构，随机变动所述介电率的二维点阵状的周期性，从而得到非旋转对称性的介电率分布。

主权项

一种发光元件，其为在基板上具有含有发光层的化合物半导体层的发光元件，其特征在于，所述发光元件在作为所述化合物半导体层的光取出面的主表面上具备介电率变化结构，所述介电率变化结构为，对于介电率不同的两种以上的物质以二维点阵状周期性地交互排列在所述主表面内的光子晶体结构，随机变动所述介电率的二维点阵状的周期性，从而得到非旋转对称性的介电率分布。