发明名称 |
铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法,属于微电子信息功能材料与器件领域。本发明铁电存储器用PZT前驱体溶液浓度为0.1~0.3mol/l。每次旋转匀胶后,都对薄膜进行烘烤并辅以均匀紫外光辐照,光照度为10~15mW/cm2,接着进行热解处理,最后PZT薄膜在550~600℃下退火处理。本发明铁电存储器用PZT铁电薄膜为多晶薄膜,具有良好的铁电性能、抗疲劳性能及漏电流特性,且结晶温度低的优点,可与现有的Si半导体工艺兼容。 |
申请公布号 |
CN101436532B |
申请公布日期 |
2010.06.30 |
申请号 |
CN200810236930.1 |
申请日期 |
2008.12.19 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
于军;李建军;王耘波;周文利;高俊雄;闻心怡;吴云翼;周光惺 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
华中科技大学专利中心 42201 |
代理人 |
曹葆青 |
主权项 |
一种铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法,其步骤包括:将前驱体溶液滴于Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上,进行匀胶,得到湿膜,该前驱体溶液中Pb1.06-1.1Zr0.3Ti0.7O3的浓度为0.1~0.3mol/l;所述Pt/TiO2/SiO2/Si衬底依次由硅基底Si、二氧化硅阻挡层SiO2、二氧化钛粘结层TiO2和电极Pt金属层构成,其中二氧化硅阻挡层的厚度为100~600nm,二氧化钛粘结层的厚度为10~30nm,电极Pt金属层的厚度为100nm~200nm;Pb1.06-1.1Zr0.3Ti0.7O3的前驱体溶液的原料配比为:(a)三水合乙酸铅Pb(CH3COO)2·3H2O、五水硝酸锆Zr(NO3)4·5H2O、钛酸四正丁酯C16H36O4Ti的摩尔比为1.06∶0.3∶0.7~1.1∶0.3∶0.7;(b)乙酰丙酮CH3COCH2COCH3占前驱体溶液总体积的4~8%;(c)甲酰胺HCONH2、冰醋酸CH3COOH体积比为1∶1.6~1∶1.8,其体积和占前驱体溶液总体积的5~12%,余量溶剂为乙二醇甲醚;(2)将所形成的湿膜进行烘烤,接着停止烘烤并辅以均匀紫外光辐照,然后再烘烤并辅以均匀紫外光辐照;(3)将步骤(2)所形成的薄膜进行热解处理;(4)重复(1)-步骤(3)直至获得所需厚度的薄膜;(5)将步骤(4)所形成的薄膜进行退火处理,得到PZT铁电薄膜。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |