发明名称 超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法
摘要 本发明提供一种超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法,采用化学气相沉积法,将设置有金属箔片的螺旋型或S型石英槽置于反应器内,通入碳氢化合物催化分解,在金属箔片上得石墨烯薄膜;在上述产物上附着有机胶体,得有机胶体/石墨烯/金属箔片结合体;用金属箔片腐蚀液除去金属箔片,得有机胶体/石墨烯结合体;再用基片将上述步骤产物取出,放入去离子水中,清洗、烘干,得有机胶体/石墨烯/基片结合体;最后,用有机溶剂除去有机胶体,取出,自然干燥,得位于基片上的超大面积高质量石墨烯薄膜电极。本方法操作步骤简单,所得产品面积大,原料成本低,高导电性,高透光率。主要用于半导体、太阳能电池、液晶平板显示等领域。
申请公布号 CN101760724A 申请公布日期 2010.06.30
申请号 CN201010101217.3 申请日期 2010.01.26
申请人 电子科技大学 发明人 陈远富;王泽高;李言荣
分类号 C23C16/26(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23F1/14(2006.01)I;C03C17/22(2006.01)I;C04B41/50(2006.01)I 主分类号 C23C16/26(2006.01)I
代理机构 成都立信专利事务所有限公司 51100 代理人 游兰
主权项 一种超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法,其特征在于步骤如下:1)将放置有金属箔片的螺旋型或S型石英槽置于反应器内,通入氢气1~1000Pa,加热至700~1000℃,保温0~60分钟,然后再通入碳氢化合物气体0.1~100000Pa,再保温1~60分钟,之后以5~100℃/分钟的速度降温至室温,关闭氢气和碳氢化合物气体,在金属箔片上得石墨烯薄膜;2)在石墨烯薄膜上通过旋涂或喷涂或流延或直接滴有机胶体,于80~180℃温度下烘1~20分钟,得有机胶体/石墨烯/金属箔片结合体;3)将步骤2)所得产物浸渍于金属箔片腐蚀液中,除去金属箔片,得有机胶体/石墨烯结合体;4)用基片将步骤3)产物从金属箔片腐蚀液中取出,放入去离子水中,清洗后置于基片上,于80~180℃温度下烘1~20分钟,得有机胶体/石墨烯/基片结合体;5)将步骤4)所得产物放入去胶溶剂丙酮、乙醇、异丙醇中的一种或一种以上,除去有机胶体,取出,自然干燥,得附着于基片上的超大面积高质量石墨烯薄膜电极。
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