发明名称 半导体存储装置和存储控制方法
摘要 本发明涉及半导体存储装置和存储控制方法。一种半导体存储装置包括:第一存储单元,其具有作为数据写入区域的多个第一块;指令单元,其发出将数据写入所述第一块中的写入指令;转换单元,其参考转换表将输入数据的外部地址转换成在所述第一块中的存储位置,在所述地址转换表中所述数据的外部地址与所述第一块中的所述数据的所述存储位置相关联;以及判断单元,其基于所述输入数据的所述存储位置而判断所述第一块中的任何块是否存储有效数据,其中当所述第一块中的任何块没有存储所述有效数据时,所述指令单元发出将数据写入其中没有存储所述有效数据的所述第一块中的写入指令。
申请公布号 CN101763894A 申请公布日期 2010.06.30
申请号 CN200910169039.5 申请日期 2009.09.14
申请人 株式会社东芝 发明人 菅野伸一;浅野滋博;橘内和也;矢野浩邦;檜田敏克
分类号 G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I 主分类号 G11C16/02(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 杨晓光;于静
主权项 一种半导体存储装置,包括:第一存储单元,其具有作为数据写入区域的多个第一块;指令单元,其发出将数据写入所述第一块中的写入指令;转换单元,其参考转换表而将输入数据的外部地址转换成在所述第一块中的存储位置,在所述转换表中所述数据的外部地址与所述第一块中的所述数据的所述存储位置相关联;以及判断单元,其基于所述输入数据的所述存储位置而判断所述第一块中的任何块是否存储有效数据,所述有效数据为与所述外部地址相关联的数据,其中当所述第一块中的任何块没有存储所述有效数据时,所述指令单元发出将数据写入其中没有存储所述有效数据的所述第一块中的写入指令。
地址 日本东京都