PROCESSO DI FABBRICAZIONE DI UN DISPOSITIVO ELETTRONICO DI POTENZA INTEGRATO IN UN SUBSTRATO SEMICONDUTTORE AD AMPIO INTERVALLO DI BANDA PROIBITA E DISPOSITIVO ELETTRONICO COSI' OTTENUTO
摘要
申请公布号
ITTO20081017(A1)
申请公布日期
2010.06.30
申请号
IT2008TO01017
申请日期
2008.12.30
申请人
STMICROELECTRONICS S.R.L.
发明人
FRISINA FERRUCCIO;SAGGIO MARIO GIUSEPPE;ZANETTI EDOARDO
