发明名称 一种减小提拉法生长晶体内部热应力的后加热器装置
摘要 本发明采用后加热器装置替代目前常用的单层或多层氧化铝、氧化锆保温筒。该后加热器装置是采用氧化锆纤维加工成的定型上保温罩,上保温罩有内外两层氧化锆纤维筒组成,两层之间埋入热铬铝高温电阻加热丝。在晶体生长前期,电阻加热丝不工作加热;当生长的晶体大部分进入上保温罩时,加热丝开始加热,在上保温罩内部形成一个温度梯度较小的退火区间,使得晶体头部和尾部的温度梯度较小,保证整根晶体在相对较等温的空间内退火,从而起到降低晶体内部热应力的效果。晶体生长退火完毕后可以直接进行定向和切割,不需要炉外长时间退火,不但大大降低了晶体内部应力,减少内部缺陷,还大大提高效率,且装置结构简单,制作成本低,适合批量生产。
申请公布号 CN101760774A 申请公布日期 2010.06.30
申请号 CN200810072460.X 申请日期 2008.12.25
申请人 福建福晶科技股份有限公司 发明人 吴少凡;庄松岩
分类号 C30B15/14(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I 主分类号 C30B15/14(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种减小提拉法生长晶体内部热应力的后加热器装置,其特征在于:该后加热器装置是采用氧化锆纤维加工成的定型上保温罩,上保温罩有内外2层氧化锆纤维筒组成,两层之间埋入热铬铝高温电阻加热丝,通过调节加热丝的加热功率,提供一个附加热源,在上保温罩内部形成一个温度梯度相对小的退火空间,使得晶体头部和尾部的温度梯度较小,从而起到了降低晶体内部热应力的效果。
地址 350002 福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号华晶楼
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