| 发明名称 | 晶片背面缺陷的监测方法和系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶片背面缺陷的监测方法和系统，所述方法包括：获取经一处理工艺前的晶片初始质量；测量经过所述处理工艺后的晶片质量；由所述晶片初始质量和经所述处理工艺后晶片质量，获取晶片质量损失值；当晶片质量损失值超过质量损失安全值时，将对应晶片从正常工艺流程中捡出。所述方法和系统能够避免晶片在基座或机械手上吸不牢而导致掉落、摔碎，进而提高制造工艺的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101764075A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
| 申请号 | CN200810208068.3 | 申请日期 | 2008.12.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李磊;赵简 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种晶片背面缺陷的监测方法，其特征在于，包括：获取经一处理工艺前的晶片初始质量；测量经过所述处理工艺后的晶片质量；由所述晶片初始质量和经所述处理工艺后晶片质量，获取晶片质量损失值；当晶片质量损失值超过质量损失安全值时，将对应晶片从正常工艺流程中捡出。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||