发明名称 半导体光电子器件的自适应耦合的结构
摘要 本发明公开了一种半导体光电子器件的自适应耦合的结构,包括:一半导体光电子器件(a),固定于圆形底座上;一外套管(c),该外套管(c)的内径等于该圆形底座的外径,且该圆形底座焊接或紧密装配于该外套管(c)的一端;一内套管(d),从该外套管(c)焊接或紧密装配圆形底座的相对端嵌套焊接于外套管(c),且该内套管(d)的中轴线与所述外套管(c)的中轴线重合;一光接收装置(b),焊接于内套管(d)内部,该光接收装置(b)的中轴线与内套管(d)的中轴线重合。本发明实现了对由于温度变化引起的光电子器件本征光电特性变化进行自适应补偿,保证了在较宽温度范围内耦合封装的光电子器件性能稳定。
申请公布号 CN101762852A 申请公布日期 2010.06.30
申请号 CN200810240930.9 申请日期 2008.12.24
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 祝宁华;王欣;孙可;谢亮
分类号 G02B6/42(2006.01)I 主分类号 G02B6/42(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种半导体光电子器件的自适应耦合的结构,其特征在于,包括:一半导体光电子器件(a),固定于圆形底座上;一外套管(c),该外套管(c)的内径等于该圆形底座的外径,且该圆形底座焊接或紧密装配于该外套管(c)的一端;一内套管(d),从该外套管(c)焊接或紧密装配圆形底座的相对端嵌套焊接于外套管(c),且该内套管(d)的中轴线与所述外套管(c)的中轴线重合;一光接收装置(b),焊接于内套管(d)内部,该光接收装置(b)的中轴线与内套管(d)的中轴线重合。
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