基准电压电路

摘要

本发明提供基准电压电路，该基准电压电路能够更稳定地产生不取决于温度的基准电压。对于NMOS晶体管(1～2)而言，由于源极和背栅短路，所以阈值电压(Vth1～Vth2)仅取决于NMOS晶体管(1～2)的工艺偏差，而不取决于其他元件的工艺偏差。由此，能够更稳定地产生不取决于温度的基准电压(Vref)。

主权项

一种产生基准电压的基准电压电路，其特征在于，该基准电压电路具有：第1电源端子；第2电源端子；电流供给电路，其具有被输入电流的输入端子以及输出基于所述输入端子的电流的电流的第1～第2输出端子；第1电阻；第1导电类型的第1MOS晶体管，其栅极与所述第1输出端子连接，源极和背栅与所述第1电源端子连接，漏极经由所述第1电阻与所述第1输出端子连接，该第1MOS晶体管工作在弱反转状态；第1导电类型的第2MOS晶体管，其栅极与所述第1电阻和所述第1MOS晶体管之间的连接点连接，源极和背栅与所述第1电源端子连接，漏极与所述输入端子连接，该第2MOS晶体管具有比所述第1MOS晶体管的阈值电压绝对值低的阈值电压绝对值，工作在弱反转状态；以及第2电阻，其设置在所述第2输出端子与所述第1电源端子之间，产生所述基准电压。