一种相变存储器单元及其操作方法

摘要

本发明属于微电子技术领域，具体为一种高可靠性、高密度相变存储器单元及其存储操作方法，由两个相变存储单元和两个选通三极管来构成一个存储单元。两个相变存储单元和两个选通三极管共用同一条字线，而与不同的位线相连。其优点在于：在没有造成阵列面积上的牺牲的情况下，可以达到1T1R四态多值的存储密度，并且大大的改善了工艺波动对数据读出的影响，几乎没有误读出的危险。

主权项

一种相变存储器单元，包括字线、第一选通管、第一相变存储电阻、第二选通管、第二相变存储电阻、第一位线、第二位线，其特征在于第一相变存储电阻和第二相变存储电阻都具有第一、第二、第三电阻状态。