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Dispositivo semi-conductor que comprende un conjunto de electrodos semiconductores, cuyo cuerpo semiconductor tiene una estructura de diodo constituida por dos electrodos de diferentes tipos con una porción altamente ohmica otro electrodo rectificador llamado "electrodo de control" cuya capa de agotamiento puede interrumpir el camino de corriente en la estructura de diodo desde el electrodo de tipo diferente como electrodo de control, llamado "electrodo de fuente", al electrodo de tipo correspondiente al electrodo de control, llamado "electrodo de base", caracterizadas por el hecho de que la base y el electrodo de fuente están incluidos entre dos conductores que pueden estar conectados entre sí de una manera conductora mediante el control de la relación corriente-tensión con característica de ruptura y la porción de resistencia negativa adyacente tal como se obtiene entre la base y el electrodo de fuente por la acción de un potencial de bloqueo bajo que actúa entre el electrodo decontrol y el electro de fuente, por ejemplo el potencial de contracto entre el electrodo de control y el electrodo de fuente mismo.
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