发明名称 半导体陶瓷材料及NTC热敏电阻
摘要 本发明的目的在于提供一种半导体陶瓷材料及NTC热敏电阻,其无需依赖2种以上材料组合,只须采用1种半导体陶瓷材料,即可提供电阻温度特性的直线性优良的NTC热敏电阻。作为构成NTC热敏电阻(1)所具备的陶瓷基体(20)的具有负的电阻温度特性的半导体陶瓷材料,是使用(La1-αBaα)xMnyOz(其中,z是由x和y的值所决定的、满足作为陶瓷的电中性条件的数值)表示的氧化物构成的陶瓷材料。上述式中,当x=1且y=0.8~1.5时,为0.60≤α≤0.75,当x=1且y=1.7~2.3时,为0.50≤α≤0.63。
申请公布号 CN101765569A 申请公布日期 2010.06.30
申请号 CN200880100195.X 申请日期 2008.08.06
申请人 株式会社村田制作所 发明人 三浦忠将
分类号 C04B35/00(2006.01)I;C04B35/50(2006.01)I;H01C7/04(2006.01)I 主分类号 C04B35/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 张宝荣
主权项 一种半导体陶瓷材料,其包含A中含有稀土类元素与钡元素、B中含有锰元素的以AxByOz表示的氧化物,其中,z是由A及B中所含元素的价数及x和y的值所决定的、满足作为陶瓷的电中性条件的数值,所述半导体陶瓷材料具有负的电阻温度特性,且当x=1且y=0.8~1.5时,A中钡元素的含有比例为60~75摩尔%;当x=1且y=1.7~2.3时,A中钡元素的含有比例为50~63摩尔%。
地址 日本京都府