发明名称 |
半导体陶瓷材料及NTC热敏电阻 |
摘要 |
本发明的目的在于提供一种半导体陶瓷材料及NTC热敏电阻,其无需依赖2种以上材料组合,只须采用1种半导体陶瓷材料,即可提供电阻温度特性的直线性优良的NTC热敏电阻。作为构成NTC热敏电阻(1)所具备的陶瓷基体(20)的具有负的电阻温度特性的半导体陶瓷材料,是使用(La1-αBaα)xMnyOz(其中,z是由x和y的值所决定的、满足作为陶瓷的电中性条件的数值)表示的氧化物构成的陶瓷材料。上述式中,当x=1且y=0.8~1.5时,为0.60≤α≤0.75,当x=1且y=1.7~2.3时,为0.50≤α≤0.63。 |
申请公布号 |
CN101765569A |
申请公布日期 |
2010.06.30 |
申请号 |
CN200880100195.X |
申请日期 |
2008.08.06 |
申请人 |
株式会社村田制作所 |
发明人 |
三浦忠将 |
分类号 |
C04B35/00(2006.01)I;C04B35/50(2006.01)I;H01C7/04(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
张宝荣 |
主权项 |
一种半导体陶瓷材料,其包含A中含有稀土类元素与钡元素、B中含有锰元素的以AxByOz表示的氧化物,其中,z是由A及B中所含元素的价数及x和y的值所决定的、满足作为陶瓷的电中性条件的数值,所述半导体陶瓷材料具有负的电阻温度特性,且当x=1且y=0.8~1.5时,A中钡元素的含有比例为60~75摩尔%;当x=1且y=1.7~2.3时,A中钡元素的含有比例为50~63摩尔%。 |
地址 |
日本京都府 |