| 摘要 |
1. Полупроводниковый лазер, содержащий гетероструктуру в виде тонкой плоскопараллельной пластины, два зеркала, образующие оптический резонатор с оптической осью, расположенные по обе стороны гетероструктуры, и средство накачки, с помощью которого в гетероструктуре возбуждается объем, имеющий значительно меньший размер вдоль оси резонатора, чем поперек, отличающийся тем, что оптический резонатор содержит, по меньшей мере, один дополнительный поглощающий слой, расположенный перпендикулярно оптической оси в узле моды резонатора, длина волны которой находится в максимуме спектра оптического усиления гетероструктуры. ! 2. Лазер по п.1, отличающийся тем, что дополнительный поглощающий слой размещен, по меньшей мере, на одной из поверхностей гетероструктуры. ! 3. Лазер по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один дополнительный поглощающий слой находится внутри гетероструктуры. ! 4. Лазер по п.1, отличающийся тем, что гетероструктура содержит активные слои, разделенные барьерными слоями, и все слои ориентированы перпендикулярно оси резонатора. ! 5. Лазер по п.4, отличающийся тем, что активные слои представляют собой квантовые ямы, являющиеся энергетическими ямами глубиной не менее 25 мэВ, по меньшей мере, для одного из носителей заряда: электронов и дырок. ! 6. Лазер по п.4, отличающийся тем, что активные слои представляют собой совокупность квантовых линий, являющихся энергетическими ямами глубиной не менее 25 мэВ, по меньшей мере, для одного из носителей заряда: электронов и дырок. ! 7. Лазер по п.4, отличающийся тем, что активные слои представляют собой совокупность квантовых точек, являющихся энергетическими ямами |
