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L'invention concerne un photodétecteur comprenant au moins une portion d'une couche semiconductrice (33) formée sur au moins une portion d'une couche réfléchissante (31) et destinée à être éclairée par un faisceau lumineux (35), au moins un plot (37) étant formé sur la portion de la couche semiconductrice, le plot et la portion de la couche réfléchissante étant métalliques ou en un matériau à permittivité négative, au moins une dimension du plot étant inférieure au rapport entre la longueur d'onde du faisceau lumineux et le double de l'indice optique de la couche semiconductrice.
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