Verfahren zur Herstellung eines Mehr-Gatetransistors mit homogen silizidierten Stegendbereichen

摘要

In einem Mehr-Gatetransistor sind die mehreren Stege des Drain oder des Source des Transistors elektrisch miteinander mittels eines gemeinsamen Kontaktelements verbunden, wobei auch eine bessere Gleichmäßigkeit der entsprechenden Kontaktgebiete mittels eines verbesserten Silizidierungsprozesses erreicht wird. Zu diesem Zweck werden die Stege in ein dielektrisches Material eingebettet, in welchem eine geeignete Kontaktöffnung gebildet wird, so dass Endflächen der Stege freigelegt werden, die dann als Silizidierungsoberflächenbereiche dienen.