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Es wird ein Halbleiterbauelement bereitgestellt mit einer Diodenstruktur, die einen strukturierten Emitter (50, 50a, 51) enthält, der elektrisch an eine erste Metallisierung (7) angeschlossen ist. Der strukturierte Emitter (50, 50a, 51) enthält ein erstes schwach dotiertes Halbleitergebiet (1) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, das einen pn-Lastübergang (11) mit einem schwach dotierten zweiten Halbleitergebiet (2) der Diodenstruktur bildet. Der strukturierte Emitter (50, 50a, 51) enthält mindestens eine hoch dotierte erste Halbleiterinsel (3) vom ersten Leitfähigkeitstyp, die eine hoch dotierte zweite Halbleiterinsel (4) vom zweiten Leitfähigkeitstyp mindestens teilweise umgibt. Weiterhin wird ein Herstellungsverfahren bereitgestellt.
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