四晶体管CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种四晶体管CMOS图像传感器，在浮置扩散电容区的一部分形成有一个N区完全耗尽的P-N-P结，且该P-N-P结的内建电势比光电二极管的内建电势要高。本发明还公开了一种四晶体管CMOS图像传感器制造方法，在浮置扩散电容区的P衬底上进行P阱注入；在光电二极管区的P衬底进行N-注入，在浮置扩散电容区的P阱进行N注入，所述N的浓度大于N-浓度；在光电二极管区的进行N-注入的区域表面进行P+注入，形成一个N区完全耗尽的P-N-P结，并在浮置扩散电容区的进行N注入的区域的一部分表面进行P+注入，使浮置扩散电容区的该部分区域形成一个N区完全耗尽的P-N-P结。本发明改善了四晶体管CMOS图像传感器对强光的相应，增加了动态范围。

主权项

一种四晶体管CMOS图像传感器，包括光电二极管区、浮置扩散电容区，其特征在于，在浮置扩散电容区的一部分形成有一个N区完全耗尽的P-N-P结，且该P-N-P结的内建电势比光电二极管的内建电势要高。