NPN异质结双极型晶体管激光器

摘要

本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种NPN异质结双极型晶体管激光器，包括衬底(1)、缓冲层(2)、下包层(3)、亚集电极层(4)、集电极层(5)、基极层(6)、量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上包层(9)和接触层(10)。其中量子阱有源区层位于所述基极层与发射极层之间，一方面减少了基极层中掺杂杂质Zn向有源区层的扩散，另一方面也减少了基极层中掺杂杂质Zn向发射区层的扩散，有助于同时提高器件的光学和电学性能。由发射极注入的电子一部分在量子阱有源区层中辐射复合发光，另一部分被集电极层收集，形成集电极电流。

主权项

一种NPN异质结双极型晶体管激光器，其特征在于，包括，一衬底(1)；一缓冲层(2)，该缓冲层(2)生长在所述衬底(1)上；一下包层(3)，该下包层(3)生长在所述缓冲层(2)上；一亚集电极层(4)，该亚集电极层(4)生长在所述下包层(3)上；一集电极层(5)，该集电极层(5)生长在所述亚集电极层(4)上；一基极层(6)，该基极层(6)生长在所述集电极层(5)上；一量子阱有源区层(7)，该量子阱有源区层(7)生长在所述基极层(6)上；一发射极层(8)，该发射极层(8)生长在所述量子阱有源区层(7)上；一上包层(9)，该上包层(9)生长在所述发射极层(8)上；一接触层(10)，该接触层(10)生长在所述上包层(9)上。