| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够抑制等离子体处理时生成的附着物的扬起，降低被处理体的污染的等离子体处理装置。在将处理气体在阳极电极与阴极电极间等离子体化、向被处理体S进行处理的等离子体处理装置中，上侧整流壁(51)与下侧整流壁(52)在形成一方的电极的载置台(3)上上下堆积，包围载置在该载置台(3)上的被处理体(S)的周围，升降机构使上侧整流壁(51)在下侧整流壁(52)上的载置位置与在上方侧离开该下侧整流壁(52)的位置之间升降。 | ||
| 申请公布号 | CN101752172A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200910224362.8 | 申请日期 | 2009.12.02 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 南雅人;佐佐木芳彦 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01J37/02(2006.01)I;H01J37/20(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，对互相相对设置在处理容器内的阳极电极与阴极电极之间施加高频电力从而使处理气体等离子体化，对被处理体进行等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括：设置在所述处理容器内部、作为阳极电极与阴极电极中的一方并且用于载置被处理体的载置台；沿着载置在该载置台上的被处理体的周缘、以包围该被处理体的方式设置在该载置台上的下侧整流壁；和载置在该下侧整流壁上、与该下侧整流壁一起包围所述载置台上的被处理体的上侧整流壁，该上侧整流壁构成为能够从在下侧整流壁上包围被处理体的位置退避。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||