| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明说明用于制造半导体器件尤其是薄层器件的方法，其中通过激光光束照射把半导体层从基片分离开，所述激光光束具有平台样的空间光束特性曲线。此外在分离前把半导体层设置在带有适配的热膨胀系数的载体上。本发明特别适用于含有氮化合物半导体的半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN1714459B | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN03802916.2 | 申请日期 | 2003.01.30 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | M·费雷尔;B·哈恩;V·海勒;S·凯泽;F·奥特;A·普勒斯尔 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 吴立明;张志醒 |
| 主权项 | 用于制造半导体器件的方法，其中通过激光光束(6)照射把半导体层(2)从基片(1)分离开，其特征在于，在与基片(1)分离之前，把半导体层(2)用背离基片(1)的一侧附着在一个载体(4)上，并且，以与光束特性曲线和/或激光光束脉冲的脉冲长度相协调的方式和与半导体层的热膨胀系数aHL和基片的热膨胀系数as相协调的方式来选择载体的热膨胀系数aT以降低制造过程中在基片、半导体层和载体之间的张力。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||