发明名称 |
从硅片切割加工副产物中回收碳化硅的方法 |
摘要 |
本发明涉及太阳能级硅片和电子级硅片切割加工过程中产生的副产物回收碳化硅的方法。具体地说,硅片切割加工过程中为了降低机械应力、热应力,保障线切割过程成为稳定的过程,需要加入大量的浆状切割液,从而产生大量的副产物,这种副产物中含有大量有机物、碳化硅和多晶硅(单晶硅);从这种副产物中回收可以用于硅片切割加工的碳化硅微粉。按照本发明提供的技术方案,硅片切割加工副产物加入分离剂后,进行机械分离,得到富含碳化硅的浆料,对其再进行机械分离,得到的湿态固体进行碱洗、酸洗及水洗后,经机械分离、干燥及粒径分级获得可回用于硅片切割加工过程的碳化硅微粉。 |
申请公布号 |
CN101244823B |
申请公布日期 |
2010.06.23 |
申请号 |
CN200810020743.X |
申请日期 |
2008.02.20 |
申请人 |
江南大学;连云港佳宇电子材料科技有限公司 |
发明人 |
孙余凭;刘来宝;仲其成 |
分类号 |
C01B31/36(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/36(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所 32104 |
代理人 |
曹祖良 |
主权项 |
一种从硅片切割加工副产物中回收碳化硅的方法,其特征在于:硅片切割加工副产物经混合均匀后,加入分离剂,用量为硅片切割加工副产物的5~50%,混合温度为常温或在50~80℃;用传送机械送入机械分离器,机械分离器的操作温度为5~80℃;由机械分离器获得50~95%的富碳化硅浆料和5~50%的贫碳化硅悬浮液;富碳化硅浆料再进行多级机械分离,获得的高纯度碳化硅浆料再由机械分离去除切割液及分离剂,然后进行碱洗、酸洗和清洗,所得碳化硅湿料经烘干、分级后,得高纯度碳化硅产品;所述分离剂包括下述物质中的一种或多种的混合物:a、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、平均分子量200~10000Dalton的聚乙二醇;b、非离子表面活性剂;c、黏度调节剂,该黏度调节剂的主要成分为含多羟基的聚丙烯酸酯。 |
地址 |
214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |