用在高密度CMOS SRAM中的叠置存储单元

摘要

提供了一种用在高密度静态随机存取存储器中的叠置存储单元，该叠置存储单元包括：形成在第一层中的第一和第二下拉晶体管；通过晶体管，连接在第二下拉晶体管的栅极与位线之间，并且形成在第一层中；以及形成在位于第一层之上的第二层中的第一和第二上拉晶体管，其中第一和第二上拉晶体管分别与第一和第二下拉晶体管相连，以形成反相锁存器。采用具有单个通过晶体管的叠置存储单元结构，相比于常规六晶体管单元，减小了单元尺寸，并且可以改善通过晶体管的驱动性能。

主权项

一种叠置存储单元，用在高密度静态随机存取存储器中，所述叠置存储单元包括：第一下拉晶体管和第二下拉晶体管，都形成在第一层中；第一上拉晶体管和第二上拉晶体管，都形成在位于第一层之上的第二层中，其中第一和第二上拉晶体管分别与第一和第二下拉晶体管相连，以形成反相锁存器；以及通过晶体管，连接在第二下拉晶体管的栅极与位线之间，并且形成在位于第一层或第二层之上的第三层中。