超高密度沟槽MOSFET雪崩改进的结构

摘要

一个沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元，它具有由一源区域围绕着的沟槽栅极，而该源区域则处于安置在衬底底面的漏极之上的一个基体区域之内。该MOSFET单元还具有一个源-基体接触沟槽，它开得使其侧壁实际上垂直于上表面而伸延到该源与基体区域之内并充填以接触金属塞。形成一个用基体杂质掺杂的基体-电阻减小区域，以围绕该源-基体接触沟槽来减小在该源-基体接触金属与沟槽栅极之间的基体-区域电阻，从而改进雪崩能力。

主权项

一个沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元，包含一个由一个源区域围绕的沟槽栅极，该源区域则处于安置在衬底底面上的漏极区域之上的基体区域之中，其中上述的MOSFET单元还包含：一个源-基体接触沟槽，它开得侧壁伸延于上述的源区域和基体区域并实际上垂直于上表面，且充填以接触金属塞；一个具有基体-电阻-减小-杂质的基体-电阻-减小区域，它安置在直接贴近上述源-基体接触沟槽的上述基体区域之中；以及一个安置在上述基体区域之下掺以源-杂质的埋设的区域。