| 发明名称 | 光刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种光刻方法，提供半导体结构，所述半导体结构上表面具有N类不位于同一平面上区域，在所述半导体结构上表面具有保护膜层，所述保护膜层覆盖所述N类区域；对所述N类中的第一类区域上的保护膜层进行曝光，并且所述第一类区域上的保护膜层位于第一类区域对应的掩膜板的聚焦平面上；对所述N类中的第二类区域上的保护膜层进行曝光，并且所述第二类区域上的保护膜层位于第二类区域对应的掩膜板的聚焦平面上；以此类推完成N类区域的曝光；掩膜板显影，将曝光区域的保护膜层清洗掉。该方法使半导体结构表面的保护膜层经过光刻之后，需要去除的区域，去除的更干净。 | ||
| 申请公布号 | CN101752228A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200810207523.8 | 申请日期 | 2008.12.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 胡骏;胡友存 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种光刻方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体结构，所述半导体结构上表面具有N类不位于同一平面上区域，在所述半导体结构上表面具有保护膜层，所述保护膜层覆盖所述N类区域；对所述N类中的第一类区域上的保护膜层进行曝光，并且所述第一类区域上的保护膜层位于第一类区域对应的掩膜板的聚焦平面上；对所述N类中的第二类区域上的保护膜层进行曝光，并且所述第二类区域上的保护膜层位于第二类区域对应的掩膜板的聚焦平面上；以此类推，对所述N类中的第N类区域上的保护膜层进行曝光，并且所述第N类区域上的保护膜层位于第N类区域对应的掩膜板的聚焦平面上，其中N为大于1的自然数；掩膜板显影，将曝光区域的保护膜层清洗掉。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||