| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底上的第一绝缘层图案、第一绝缘层图案上的包含氟的第二绝缘层、第二绝缘层图案上的第三绝缘层图案以及第三绝缘层图案上的多晶硅图案。氟被包含在第二绝缘层中，所述第二绝缘层可以是氮化物层，其在闪存器件中存储数据，从而在不对电容特性施加影响的情况下改善数据保持和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101752411A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200910260410.9 | 申请日期 | 2009.12.15 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 文在渊 |
| 分类号 | H01L29/51(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/51(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郑小军;陈昌柏 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一绝缘层图案，位于半导体衬底上；包含氟的第二绝缘层图案，位于所述第一绝缘层图案上；第三绝缘层图案，位于所述第二绝缘层图案上；以及多晶硅图案，位于所述第三绝缘层图案上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||