形成半导体结构的方法

摘要

本发明是有关于一种形成半导体结构的方法，该方法包括提供复合基材，其中复合基材包括有主体硅基材与紧邻于主体硅基材之上的硅锗层。对硅锗层执行第一缩合以形成缩合硅锗层，藉以使得缩合硅锗层具有实质均匀的锗浓度。蚀刻缩合硅锗层与主体硅基材的顶端部分以形成复合鳍片，其中复合鳍片包括硅鳍片与位在硅鳍片上的缩合硅锗鳍片。该方法更包括氧化硅鳍片的一部分，以及对缩合硅锗鳍片执行第二缩合。

主权项

一种形成半导体结构的方法，其特征在于其包括：提供一复合基材，包括一主体硅基材与紧邻于该主体硅基材之上的一硅锗层；对该硅锗层执行一第一缩合，以形成一缩合硅锗层，其中该缩合硅锗层具有一均匀的锗浓度；蚀刻该缩合硅锗层与该主体硅基材的一顶端部分，以形成一复合鳍片，其中该复合鳍片包括一硅鳍片与位在该硅鳍片上的一缩合硅锗鳍片；氧化该硅鳍片一部分；以及对该缩合硅锗鳍片执行一第二缩合。