| 发明名称 | 化学机械研磨垫 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供能够在赋予高研磨速度的同时，充分地抑制被研磨面的刮痕的发生，且对于研磨量能够实现高度的被研磨面内均匀性的化学机械研磨垫。上述目的通过研磨层的表面电阻率为1.0×107～9.9×1013Ω的化学机械研磨垫达成。该研磨层优选由含有(A)体积电阻率为1.0×1013～9.9×1017Ω·cm的高分子基质成分和(B)体积电阻率为1.0×106～9.9×1012Ω·cm的成分的组合物形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101379598B | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200780004401.2 | 申请日期 | 2007.01.30 |
| 申请人 | JSR株式会社 | 发明人 | 冈本隆浩;桑原力丸;栗山敬祐;辻昭卫 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;B24B37/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 熊玉兰;李平英 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨垫，其特征在于，研磨层的表面电阻值为1.0×107～9.9×1013Ω，并且研磨层由含有体积电阻率为1.0×1013～9.9×1017Ω·cm的高分子基质成分A和体积电阻率为1.0×106～9.9×1012Ω·cm的成分B的组合物形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||