在虚接地阵列中的浮动栅极单元的装置与制造方法

摘要

一种用以制造浮动栅极存储元件的方法，包括使用具有增大的侵入部分的薄埋入扩散区域，其是通过埋入扩散氧化物层侵入氧化扩散层并位于浮动栅极下的沟道氧化物之下而实现的。此外，该浮动栅极多晶硅层的高度大于埋入扩散层的高度。栅极多晶硅层与埋入扩散层之间所增加的阶梯高度可产生较高的栅极耦合率，且利用虚接地阵列设计时仍然可以允许较小的单元尺寸。

主权项

一种浮动栅极存储元件，包括：衬底；第一介质层；至少一个埋入扩散区域，其形成在所述衬底中；浮动栅极，其形成在所述第一介质层之上；埋入扩散氧化物，其形成在所述埋入扩散区域上并延伸至位于所述浮动栅极下方的所述第一介质层之下，其中，所述浮动栅极的整个顶部高于所述埋入扩散氧化物的顶部；以及第二介质层，其形成在所述浮动栅极上、并部分延伸至所述埋入扩散氧化物之上。