| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种诸如CMOS结构的半导体结构，其包括具有横向可变的功函数的栅电极。该具有横向可变的功函数的栅电极可利用倾角离子注入方法或按顺序成层方法来形成。在未掺杂的沟道场效应晶体管器件中，该具有横向可变的功函数的栅电极提供增强的电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101252146B | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200810004602.9 | 申请日期 | 2008.01.21 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 斯蒂文·J.·科斯特;威尔弗雷德·E.-A.·哈恩斯奇;阿姆兰·玛尤姆达 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其包括位于半导体衬底上方的栅电极，所述栅电极具有在所述栅电极中横向可变的功函数。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||