一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法

摘要

本发明涉及光电探测器技术领域，公开了一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上湿法腐蚀出深槽斜面，形成高台阶图形衬底；在形成的高台阶图形衬底上进行探测器材料结构的外延生长；在完成外延生长的高台阶图形衬底上进行微电子工艺制造，形成接收有源区位于斜面上的光电探测器。利用本发明，可提高光电探测器的性能，降低成本，实现低成本、高效率、简便的平面光互联。

主权项

一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法，其特征在于，该方法包括：在半导体衬底上制作腐蚀掩膜，使用各向同性的腐蚀液对衬底进行抛光，去除表面的缺陷，然后再进行各向异性的深槽腐蚀；腐蚀后使用H2SO4∶H2O＝5∶1的溶液抛光斜面，去除腐蚀过程中生成的反应残留颗粒，形成高台阶图形衬底；在形成的高台阶图形衬底上采用分子束外延MBE或金属有机化学气相淀积MOCVD方法，依次生长缓冲层、n型欧姆接触层、本征层、抗反射层和p型欧姆接触层；在完成外延生长的高台阶图形衬底上进行微电子工艺制造，形成接收有源区位于斜面上的光电探测器。