发明名称 双面太阳能电池的制造方法
摘要 一种双面太阳能电池的制造方法,至少包含步骤:提供半导体基板;于半导体基板的第一表面上形成射极层,并于半导体基板与射极层间形成pn结;于射极层上形成第一抗反射膜;于半导体基板的第二表面上以网版印刷技术形成掺杂源层;于半导体基板与掺杂源层间形成背表面电场层;于背表面电场层上形成第二抗反射膜;于第二表面上形成至少一第二电极;以及于第一表面上形成至少一第一电极。本发明所提供的双面太阳能电池的制造方法可以有效简化工艺,并可大幅缩短整体的工艺时间,且可进一步节省成本,使得双面太阳能电池的制造过程更为简便、快速以及有效率。
申请公布号 CN101752452A 申请公布日期 2010.06.23
申请号 CN200810177806.2 申请日期 2008.12.01
申请人 台湾茂矽电子股份有限公司 发明人 沈昌宏;罗珮婷;游志成;曾玉珠
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 陈晨;张浴月
主权项 一种双面太阳能电池的制造方法,至少包含步骤:提供一半导体基板;形成一射极层于该半导体基板的一第一表面上,并于该半导体基板与该射极层间形成pn结;形成一第一抗反射膜于该射极层上;以网版印刷技术形成一掺杂源层于该半导体基板的一第二表面上;形成一背表面电场层于该半导体基板与该掺杂源层间;形成一第二抗反射膜于该背表面电场层上;形成至少一第二电极于该第二表面上;以及形成至少一第一电极于该第一表面上。
地址 中国台湾新竹市