| 发明名称 | 倾斜沟槽的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种倾斜沟槽的制备方法，其主要包括：利用掩膜层在硅衬底上刻蚀形成沟槽，经过倾斜离子注入，热氧化和热氧化膜去除等。本发明的倾斜沟槽的制备方法，通过调整离子注入工艺和热氧化工艺，可得到倾斜沟槽倾斜角范围为80-90度。 | ||
| 申请公布号 | CN101752203A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200810044120.6 | 申请日期 | 2008.12.17 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 肖胜安 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/30(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种倾斜沟槽的制备方法，其特征在于，在表面至少有一掩膜层的硅衬底上刻蚀形成沟槽之后，包括如下步骤：1)对所述沟槽进行旋转的倾斜离子注入，所述离子注入的条件根据所述需要获得的沟槽的倾斜角度来设定；2)接着进行氧化处理，使沟槽侧壁的硅氧化为氧化硅；3)去除所述硅衬底上的掩膜层，和所述沟槽侧壁的氧化硅，得到沟槽侧壁比步骤二中所刻蚀的沟槽侧壁倾斜的沟槽。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||